n沟道mos管开关电路
项目中最常用的为增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。
由于n沟道mos管开关电路其导通电阻小，且容易制造所以项目中大部分用到的是n沟道mos管开关电路。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。寄生二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
1.导通特性
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是NMOS，n沟道mos管开关电路。
n沟道mos管开关电路的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了，虽然4V就导通了，但是为了完全导通电压在其可承受范围应该尽量大一些。
2.MOS开关管损失
不管是n沟道mos管开关电路还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
3.MOS管驱动
跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的n沟道mos管开关电路，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。同步整流器应用几乎总是使用N沟道技术，这主要是因为N沟道的RDS(on)小于P沟道的，并且通过在栅极上施加正电压导通。
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，P沟道的管芯尺寸大约是N沟道的三倍。因此N沟道的管芯尺寸更小。
n沟道mos管开关电路N沟道MOSFET在栅-源极端子上施加适当阈值的正电压时导通；P沟道MOSFET通过施加给定的负的栅-源极电压导通。
MOSFET的栅控决定了它们在SMPS转换器中的应用。例如，N沟道MOSFET更适用于以地为参考的低侧开关，特别是用于升压、SEPIC、正向和隔离反激式转换器。在同步整流器应用以及以太网供电（PoE）输入整流器中，低侧开关也被用来代替二极管作为整流器。P沟道MOSFET最常用作输入电压低于15VDC的降压稳压器中的高侧开关。根据应用的不同，N沟道MOSFET也可用作降压稳压器高侧开关。这些应用需要自举电路或其它形式的高侧驱动器。
图1：具有电平移位器的高侧驱动IC
图2：用自举电路对高侧N沟道MOSFET进行栅控
极性决定了n沟道mos管开关电路MOSFET的图形符号。不同之处在于体二极管和箭头符号相对于端子的方向。
图3：P沟道和N沟道MOSFET的原理图
注意体二极管和箭头相对漏极（D）和源极（S）端子的方向。
n沟道mos管开关电路极性和MOSFET工作特性
极性决定了MOSFET的工作特性。 对N沟道器件为正的电流和电压对P沟道器件为负值。
图4：MOSFET第一象限特征
在有充足电压施加到栅-源极端子的欧姆区域（ohmic region），n沟道mos管开关电路MOSFET“完全导通”。在对比图中，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。
随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加的栅极电压越高，n沟道mos管开关电路MOSFET的RDS(on)就越小。在某些应用中，对MOSFET进行栅控的是可以提供令人满意的RDS(on)的电压。额外的栅极电压会因?C x Vgs x Vgs x f产生功耗，其中栅极电荷和开关频率在确定MOSFET技术的最终工作点和选用方面起着重要作用。
MOSFET既可工作在第一象限，也可工作在第三象限。没有施加栅-源极电压时，寄生体二极管导通。当栅极没有电压时，流入漏极的电流类似于典型的二极管曲线。
图5：未栅控N沟道MOSFET工作于第三象限的典型特性
施加栅极电压时，根据VGS的值会产生非线性曲线。当VGS超过10V时，n沟道mos管开关电路完全在第三象限欧姆区内工作。然而，当栅极电压低于10V时，二极管电压钳位于各种漏极电流水平。在非线性曲线中见到的弯曲是二极管和欧姆区之间的转变点。
图6：施加栅极电压时，N沟道MOSFET工作在第三象限的典型特性
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