mos管KIA4N65H-产品特征：1、RDS(on)=2.5Ω@VGS=10V 2、低门电荷（典型的16nC...mos管KIA4N65H-产品特征：1、RDS(on)=2.5Ω@VGS=10V 2、低门电荷（典型的16nC） 3、高韧性 4、快速切换 5、N100%雪崩试验 6、改进的dv/dt能力
介绍低功耗mos管供应商信息及MOS管选型及参数资料介绍，随着计算机技术和微电子...介绍低功耗mos管供应商信息及MOS管选型及参数资料介绍，随着计算机技术和微电子技术的迅速发展，嵌入式系统应用领域越来越广泛。节能是全球化的热潮，如计算机里的...
mos管KIA2302-产品主要参数：1、产品型号：KIA2302 2、工作方式：3.0A/20V ...mos管KIA2302-产品主要参数：1、产品型号：KIA2302 2、工作方式：3.0A/20V 3、漏源极电压：20V 4、栅源电压：±8V 5、脉冲漏电流：10A 6、连续电源电流（二...
P沟道mosfet的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的...P沟道mosfet的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道mosfet。此外，P沟道mosfet阈值电压的绝对值普通...
深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)...深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企...
MOS管导通电阻小，可以降低导通时的功耗。但无论什么元件器件，追求某项指标必...MOS管导通电阻小，可以降低导通时的功耗。但无论什么元件器件，追求某项指标必会影响其它指标。以MOS管来说，高耐压与低电阻是矛盾的，不可兼得，所以不能说导通电...
