MOS管3503 70A30V参数-特征 RDS（开）=2.6mΩ（典型值）@VGS=10V 先进的沟槽...MOS管3503 70A30V参数-特征 RDS（开）=2.6mΩ（典型值）@VGS=10V 先进的沟槽技术 低门电荷 高电流能力
1.该电路用于高边开关，当MOS_ON 网络拉低到地时，开关Q1导通； 2.电路中D3作...1.该电路用于高边开关，当MOS_ON 网络拉低到地时，开关Q1导通； 2.电路中D3作用为钳位Q1门源电压在12V左右，以保护Q1；
DC-DC电源中常用的基本降压转换器依靠两个MOSFET来执行开关功能（下图），这些...DC-DC电源中常用的基本降压转换器依靠两个MOSFET来执行开关功能（下图），这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量开释给负载。
下面以图10中电机控制电路来说明米勒效应对MOSFET开通关断过程的影响。在图10控...下面以图10中电机控制电路来说明米勒效应对MOSFET开通关断过程的影响。在图10控制电路中，上管导通时，VDD通过Q1、Q4对电机进行励磁；上管关断时，电机通过Q4、Q3...
MOSFET的dv/dt是指开关瞬态过程中漏极－源极电压的变化率。如果dv/dt太大，可能...MOSFET的dv/dt是指开关瞬态过程中漏极－源极电压的变化率。如果dv/dt太大，可能发生振铃，进而可能导致MOSFET损坏。
dv/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，导...dv/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差vBE，使寄生双极晶体管导通，引起短...
