我们公司设计的超结MOS管是用先进的耐压原理和有话的设计结构,全新600V-900V系...我们公司设计的超结MOS管是用先进的耐压原理和有话的设计结构,全新600V-900V系列产品为系统应用提供充足的耐压余量,简化系统设计难度,提高系统可靠性。满足客户...
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者...mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都...
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效...金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,柵极上加...
12V锂电池保护板,16串磷酸铁锂电池保护板,18650电池保护板,线路板厂在双面线...12V锂电池保护板,16串磷酸铁锂电池保护板,18650电池保护板,线路板厂在双面线路板设计时都会优先考虑锂电池保护板工作原理,电池之都带大家看一个单节电芯的锂电...
MOS管引脚图、MOS管引脚区分、栅极G的测定:用万用表R&TImes;100档,测任意两脚...MOS管引脚图、MOS管引脚区分、栅极G的测定:用万用表R&TImes;100档,测任意两脚之间正反向电阻,若其中某次测得电阻为数百Ω),该两脚是D、S,第三脚为G。漏极D、...
电阻是描述导体导电性能的物理量,用R表示。电阻由导体两端的电压U与通过导体的...电阻是描述导体导电性能的物理量,用R表示。电阻由导体两端的电压U与通过导体的电流I的比值来定义,即R=U/I。所以,当导体两端的电压一定时,电阻愈大,通过的电流...