H桥驱动感性负载：什么是H桥？H桥是一个比较简单的电路，通常它会包含四个独立...H桥驱动感性负载：什么是H桥？H桥是一个比较简单的电路，通常它会包含四个独立控制的开关元器件（例如MOS-FET）,它们通常用于驱动电流较大的负载，比如电机，至于...
MOS管的工作机制：由上图结构我们可以看到 MOS 管类似三极管，也是背靠背的两个...MOS管的工作机制：由上图结构我们可以看到 MOS 管类似三极管，也是背靠背的两个PN结。三极管的原理是在偏置的情况下注入电流到很薄的基区通过电子-空穴复合来控制...
MOS集成电路电过应力损伤：电过应力(EOS)是MOS集成电路失效分析过程中常见失效...MOS集成电路电过应力损伤：电过应力(EOS)是MOS集成电路失效分析过程中常见失效原因，电过应力损伤对MOS集成电路可靠性危害很大，轻者导致电路电性能下降，留下隐患...
由晶圆供货紧张引发的多米诺骨牌效应正在半导体产业链愈演愈烈。MOS涨价、电源...由晶圆供货紧张引发的多米诺骨牌效应正在半导体产业链愈演愈烈。MOS涨价、电源管理芯片涨价、MCU涨价、汽车电子元件芯片涨价、内存芯片涨价……每一份涨价通知函，...
CS单管放大电路：共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得...CS单管放大电路：共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而...
适用于LLC变压器，其特征在于，包括：第一MOS开关管、第二MOS开关管、第一电容...适用于LLC变压器，其特征在于，包括：第一MOS开关管、第二MOS开关管、第一电容、电感和至少两个变压器;所述变压器的原边串联、副边并联;所述第一MOS开关管与第二M...
