MOSFET的短沟道效应:当MOS晶体管的沟道长度小到可以和漏结及源结的耗尽层厚度相...MOSFET的短沟道效应:当MOS晶体管的沟道长度小到可以和漏结及源结的耗尽层厚度相比拟时,会出现一些不同于长沟道MOS管特性的现象,统称为短沟道效应，它们归因于在沟...
CMOS电路中的阱:在CMOS电路的工艺结构中,应用在衬底上形成反型的阱是一大特点。...CMOS电路中的阱:在CMOS电路的工艺结构中,应用在衬底上形成反型的阱是一大特点。已有的多种CMOS电路阱的类别,有p阱、n阱、双阱及倒转阱等(图4-3-3)。CMOS电路中的阱...
MOS晶体管的最高频率:MOS晶体管在工作频率增高到一定值以后,它的特性就将随着频...MOS晶体管的最高频率:MOS晶体管在工作频率增高到一定值以后,它的特性就将随着频率的增高而变坏。MOS管的最高频率,大家知道,MOS晶体管的沟道区隔着绝缘的氧化层,在...
结型场效应管基本放大器工作原理:我们知道,根据导电沟道的不同,结型场效应管有...结型场效应管基本放大器工作原理:我们知道,根据导电沟道的不同,结型场效应管有N沟道和P沟道之分。因此，结型场效应管基本放大器也分为N沟道结型场效应管基本放大器...
硅栅MOS结构详细解析-硅栅MOS结构：在MOS-IC的早期产品中,广泛使用金属AI作为栅...硅栅MOS结构详细解析-硅栅MOS结构：在MOS-IC的早期产品中,广泛使用金属AI作为栅极。例如上世纪60年代中期第一只MOS-IC即为p沟增强型A1栅器件。但随着MOS-IC规模的...
MOS管电容特性-动态特性:从图九可以看出功率管的寄生电容分布情况，电容的大小...MOS管电容特性-动态特性:从图九可以看出功率管的寄生电容分布情况，电容的大小由功率管的结构,材料和所加的电压决定。这些电容和温度无关，所以功率管的开关速度对...
