晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正...晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就必须保证晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管...
本文主要讲MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗...本文主要讲MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿就一定短路了吗？JFET管静电击穿又是怎么回事？MOS管一个ESD敏感器件，它本身...
MOS管 KIA4706A 8A/60V产品特点： RDS(on)=10mΩ(typ)@VGS=10V 超低栅电荷 ...MOS管 KIA4706A 8A/60V产品特点： RDS(on)=10mΩ(typ)@VGS=10V 超低栅电荷 绿色设备 先进的高密度沟槽技术
MOS管 KIA4610A 7.5A/100V产品概述：KIA4610A是高密度N沟道MOS管，具有优良的R...MOS管 KIA4610A 7.5A/100V产品概述：KIA4610A是高密度N沟道MOS管，具有优良的RDSON和栅极特性，为大多数同步降压变换器应用充电。KIA4610A符合RoHs和绿色产品要求...
MOS管 KIA3402 4.0A/30V产品概述：KIA3402采用了先进的沟槽技术，提供了优越的...MOS管 KIA3402 4.0A/30V产品概述：KIA3402采用了先进的沟槽技术，提供了优越的RDS(on)，低门电荷门极电压低至2.5V。该产品适合用作负载开关或用于脉宽调制应用。K...
mos管的结构图详解，mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconducto...mos管的结构图详解，mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是...
