MOS晶体管的最高频率:MOS晶体管在工作频率增高到一定值以后,它的特性就将随着频...MOS晶体管的最高频率:MOS晶体管在工作频率增高到一定值以后,它的特性就将随着频率的增高而变坏。MOS管的最高频率,大家知道,MOS晶体管的沟道区隔着绝缘的氧化层,在...
结型场效应管基本放大器工作原理:我们知道,根据导电沟道的不同,结型场效应管有...结型场效应管基本放大器工作原理:我们知道,根据导电沟道的不同,结型场效应管有N沟道和P沟道之分。因此，结型场效应管基本放大器也分为N沟道结型场效应管基本放大器...
硅栅MOS结构详细解析-硅栅MOS结构：在MOS-IC的早期产品中,广泛使用金属AI作为栅...硅栅MOS结构详细解析-硅栅MOS结构：在MOS-IC的早期产品中,广泛使用金属AI作为栅极。例如上世纪60年代中期第一只MOS-IC即为p沟增强型A1栅器件。但随着MOS-IC规模的...
MOS管电容特性-动态特性:从图九可以看出功率管的寄生电容分布情况，电容的大小...MOS管电容特性-动态特性:从图九可以看出功率管的寄生电容分布情况，电容的大小由功率管的结构,材料和所加的电压决定。这些电容和温度无关，所以功率管的开关速度对...
高速MOS驱动应用：双极晶体管和场效应晶体管有着相同的工作原理。从根本上说,，...高速MOS驱动应用：双极晶体管和场效应晶体管有着相同的工作原理。从根本上说,，两种类型晶体管均是电荷控制元件，即它们的输出电流和控制极半导体内的电荷量成比例...
双场效应管推挽功率放大器:由于单场效应管功率放大器存在效率低、输出功率小等...双场效应管推挽功率放大器:由于单场效应管功率放大器存在效率低、输出功率小等缺点，所以我们必须在提高功放的效率和增大输出功率方面下功夫。双场效应管推挽功率...
