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MOS管 KNX4360A 4.0A/600V主要参数: 型号:KNX4360A 工作方式:4.0A/600V ...MOS管 KNX4360A 4.0A/600V主要参数: 型号:KNX4360A 工作方式:4.0A/600V 漏源电压:600V 栅源电压:±30V 雪崩能量:180MJ 峰值二极管恢复dv/dt:4.8V/ns 漏...
MOS管 KNX4760A 8A/600V主要参数: 漏源电压:600V 栅源电压:±30V 连续漏电...MOS管 KNX4760A 8A/600V主要参数: 漏源电压:600V 栅源电压:±30V 连续漏电流:8.0A 单脉冲雪崩能量:580MJ 峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns 漏源击穿电压:...
MOS管 KIA3308A替代HY1908产品,KIA产品在品质与价格上都有相对的优势,KIA半导...MOS管 KIA3308A替代HY1908产品,KIA产品在品质与价格上都有相对的优势,KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域,不仅包括光伏逆变及无人机...
MOS管 KNH8150A 30A/500V主要参数: 型号:KNH8150A 工作方式:30A/500V 漏...MOS管 KNH8150A 30A/500V主要参数: 型号:KNH8150A 工作方式:30A/500V 漏源电压:500V 门-源电压:±30V 连续漏电流:30A 单脉冲雪崩能量:2000MJ 峰值二极...
文中列出了KIA半导体大功率mos参数表,请查看下表。先了解一下功率mos,功率...文中列出了KIA半导体大功率mos参数表,请查看下表。先了解一下功率mos,功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。因此,要求同时输出较大的电压和电...