碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的参数特性,RDS(ON)仅为40mΩ(典型值...碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的参数特性,RDS(ON)仅为40mΩ(典型值)在VGS=20V,TJ=25℃条件下,在高电压下能够拥有较低的导通电阻,同时表现出优异的...
KPE4703A场效应管漏极电流-8A,漏源击穿电压-30V,具有优异的性能表现;导通电...KPE4703A场效应管漏极电流-8A,漏源击穿电压-30V,具有优异的性能表现;导通电阻RDS(on)仅为19mΩ,在栅极电压为10V时;超低的栅极电荷,能够有效降低电路中的开关...
KIA9N90场效应管是一款性能卓越的功率器件,具有9A的电流承受能力和高达900V的...KIA9N90场效应管是一款性能卓越的功率器件,具有9A的电流承受能力和高达900V的电压额定值;RDS(开启)仅为1.12Ω,在VGS=10 V时表现出色;具有低栅极电荷,典型值...
10N80E参数,10n80参数引脚图 漏极电流(ID):10A 漏极和源极电压(VDSS):...10N80E参数,10n80参数引脚图 漏极电流(ID):10A 漏极和源极电压(VDSS):800V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.85Ω 耗散功率(PD):42W 封装:TO-220...
广东可易亚半导体科技有限公司主营半导体产品丰富,是一家国产MOS管厂家。专业...广东可易亚半导体科技有限公司主营半导体产品丰富,是一家国产MOS管厂家。专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、...
KIA7N80场效应管是一款性能出色的电子器件,具有极高的可靠性和稳定性,7n80漏...KIA7N80场效应管是一款性能出色的电子器件,具有极高的可靠性和稳定性,7n80漏极电流7A,漏源击穿电压800V,RDS(on)仅为1.4Ω@ VGS=10V,栅极电荷低,仅为27nC,快...