NCE6990产品特点： VDS=69V,ID=88A RDS(ON)<7.2mΩ@VGS=10V(Typ:6.2mΩ) 超...NCE6990产品特点： VDS=69V,ID=88A RDS(ON)<7.2mΩ@VGS=10V(Typ:6.2mΩ) 超低RDSON高密度电池设计 完全特征雪崩电压和电流 稳定性好，均匀性好 良好的散热包...
6110是性能最高的N沟道MOS管，具有极高的电池密度，这为大多数同步降压变换器的...6110是性能最高的N沟道MOS管，具有极高的电池密度，这为大多数同步降压变换器的应用提供了优良的RDSON和栅极电荷。6110满足RoHS和绿色产品要求，100% EAS功能完全...
NCE6080K匹配KIA产品3306，NCE6080K匹配KIA产品3306，KIA MOS管3306共有A和B两...NCE6080K匹配KIA产品3306，NCE6080K匹配KIA产品3306，KIA MOS管3306共有A和B两个规格书。下文会介绍3306和NCE6080K两个MOS管具体参数、封装与规格书等。KIA半导体...
mos引脚图说明，三个引脚G、S、D是什么及含义：G：gate 栅极；S：source 源极；...mos引脚图说明，三个引脚G、S、D是什么及含义：G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极；N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强...
KIA半导体MOS管 6303产品特点： Vds=30V RDS(ON)=9.0mΩ(typ.),VGS@10V,Ids@...KIA半导体MOS管 6303产品特点： Vds=30V RDS(ON)=9.0mΩ(typ.),VGS@10V,Ids@12A RDS(ON)=11.5mΩ(typ.),VGS@4.5V,Ids@6A 先进的沟道工艺技术 超低导通电阻的...
mos管直流特性，场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件，根...mos管直流特性，场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件，根据结构的不同，场效应管可分为两大类：结型场效应管(JEFT)和绝缘栅场效应管(MOSFET)...
