MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V参数: 型号:KIA6N70H 工作方式:5.8A/700V 漏源...MOS管 KIA6N70H 5.8A/700V参数: 型号:KIA6N70H 工作方式:5.8A/700V 漏源电压:700V 脉冲漏电流:20* A 栅源电压:±30V 单脉冲雪崩能量:150MJ 雪崩电流:4...
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深圳晶圆公司,深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场...深圳晶圆公司,深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的...
NCE3080和KNX3403A两个型号为低压MOS管,KIA半导体是专业制造中、低、高压MOS管...NCE3080和KNX3403A两个型号为低压MOS管,KIA半导体是专业制造中、低、高压MOS管。KNX3403A可替代NCE3080K,接下来会写出NCE3080和KNX3403A两个型号的规格书、封装...
mos管寄生电容是动态参数,直接影响到其开关性能,MOSFET的栅极电荷也是基于电...mos管寄生电容是动态参数,直接影响到其开关性能,MOSFET的栅极电荷也是基于电容的特性,下面将从结构上介绍这些寄生电容,然后理解这些参数在功率MOSFET数据表中...
MOS管KNX4360A型号特征 RDS(ON)=1.9Ω(typ.)@VGS=10V,ID=2A 快速切换 雪崩测...MOS管KNX4360A型号特征 RDS(ON)=1.9Ω(typ.)@VGS=10V,ID=2A 快速切换 雪崩测试100% 提高dv/dt能力