MOS管导通电阻小，可以降低导通时的功耗。但无论什么元件器件，追求某项指标必...MOS管导通电阻小，可以降低导通时的功耗。但无论什么元件器件，追求某项指标必会影响其它指标。以MOS管来说，高耐压与低电阻是矛盾的，不可兼得，所以不能说导通电...
由于功率MOSFET热稳定性好，故比双极型晶体管并联连接简单。可是并联连接MOSFE...由于功率MOSFET热稳定性好，故比双极型晶体管并联连接简单。可是并联连接MOSFET用于高速开关则末必简单，从现象看并联连接会发生以下两个问题： 1） 电流会集中某...
锂电池保护板主要由维护IC（过压维护）和MOS管（过流维护）构成，是用来保护锂...锂电池保护板主要由维护IC（过压维护）和MOS管（过流维护）构成，是用来保护锂电池电芯安全的器材。锂电池具有放电电流大、内阻低、寿数长、无回忆效应等被人们广...
在完结地图规划并经工艺厂家流片后，能够选用两种办法对芯片进行功能、功能测验...在完结地图规划并经工艺厂家流片后，能够选用两种办法对芯片进行功能、功能测验：一种办法是直接键合到PCB（印制电路板）上，另一种办法是经过封装厂家进行封装后...
增强型NMOS管的工作原理 当NMOS管的栅极与源极短接（即NMOS管的栅／...增强型NMOS管的工作原理 当NMOS管的栅极与源极短接（即NMOS管的栅／源电压VGS=O）时，源区（N+型）、衬底(P型)和漏区(N+型)形成两个背靠背的PN结，不管...
（1）穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐渐增大的特征，这是因为耗尽层...（1）穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐渐增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，发生电流较大。另一方面，耗尽层展广大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏...
