槽栅构造有利于进步电流控制才能，但是结电容大，不利于工作频率的提高。将平而...槽栅构造有利于进步电流控制才能，但是结电容大，不利于工作频率的提高。将平而栅极构造与双扩散有机分离起来，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，横向双扩散...
常用场效应管主要有结型场效应管、耗尽型绝缘栅场效应管、加强型绝缘栅场效应管...常用场效应管主要有结型场效应管、耗尽型绝缘栅场效应管、加强型绝缘栅场效应管、双栅场效应管、功率场效应管等。
DGMOSFET（Dual gate MOSFET，双栅极MOSFET）是一种有两个栅极的四端器件，两个...DGMOSFET（Dual gate MOSFET，双栅极MOSFET）是一种有两个栅极的四端器件，两个栅极都可以对沟道进行控制，目的是为了控制的便利性与独立性，尤其是有两个控制量的...
MOSFET采用横向双扩散结构(IDMOS)来兼顾工作频率与功率的要求，MESFET则采用肖...MOSFET采用横向双扩散结构(IDMOS)来兼顾工作频率与功率的要求，MESFET则采用肖特基势垒栅极(Schottky Gate FET)结构（图1.24）。就PN结的特性而言，与肖特基二极管...
采用DMOS工艺的VMOS最初称为VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直沟道...采用DMOS工艺的VMOS最初称为VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直沟道，双扩散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽栅垂直...
功率MOSFET主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC／DC变...功率MOSFET主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC／DC变换器、DC／DC变换器)、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。
