Mosfet参数意义阐明 Features: Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所...Mosfet参数意义阐明 Features: Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id：...
P沟道MOS管工作原理金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大...P沟道MOS管工作原理金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之...
MOS又分为兩种，一种为耗尽型（DepletionMOS），另一种为增强型（EnhancementM...MOS又分为兩种，一种为耗尽型（DepletionMOS），另一种为增强型（EnhancementMOS）。这兩种型态的构造没有太大的差異，仅仅耗尽型MOS一开始在Drain-Source的通道上...
MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见...MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。
MOSFET的封装形式技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的...MOSFET的封装形式技术也直接影响到芯片的性能和品质，对同样的芯片以不同形式的封装，也能提高芯片的性能。所以芯片的封装技术是非常重要的。以安装在PCB的方式区...
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双...双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（...
