肖特基势垒与欧姆接触-模型理解:我们知道,N型半导体与P型半导体接触会因为载...肖特基势垒与欧姆接触-模型理解:我们知道,N型半导体与P型半导体接触会因为载流子的扩散形成耗尽区,从而形成PN节。当金属与半导体接触时会怎样呢?其中一种情况...
5N50MOS管 500V5A参数-产品特点 RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V 符合RoHS 低导...5N50MOS管 500V5A参数-产品特点 RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V 符合RoHS 低导通电阻 低栅电荷 5N50MOS管 500V5A参数-产品应用领域 1、适配器 2、充电器 3、...
SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面,造成瞬时局...SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面,造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累,...
MOS管雪崩电流解析:雪崩电流在MOS管的数据表中表示为IAV,雪崩能量代表功率MO...MOS管雪崩电流解析:雪崩电流在MOS管的数据表中表示为IAV,雪崩能量代表功率MOS管抗过压冲击的能力。在调试过程中,选取一定的电感值,然后将电流增大,也就是功率...
trr是指快恢复二极管的反向恢复时间,二极管在正向导通到反向阻断过程中,会反...trr是指快恢复二极管的反向恢复时间,二极管在正向导通到反向阻断过程中,会反向流过电流,内部载流子复合需要的时间就是trr。它的定义是:电流通过零点由正向转换...
MOS管500V9A,KIA4750规格参数-1、KIA4750产品特征,符合RoHS,RDS(on) = 0.7Ω...MOS管500V9A,KIA4750规格参数-1、KIA4750产品特征,符合RoHS,RDS(on) = 0.7Ω@VGS = 10 V,低栅电荷最小化开关损耗,快速恢复体二极管。 2、KIA4750适用范围,...