国产MOS管KNX3308A和HY1906两个产品的主要参数、封装、应用领域等产品信息详细...国产MOS管KNX3308A和HY1906两个产品的主要参数、封装、应用领域等产品信息详细介绍。KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端...
场效应管的直流参数 1.夹断电压Up 在UDS为某一固定值的条件下，使ID等于一个...场效应管的直流参数 1.夹断电压Up 在UDS为某一固定值的条件下，使ID等于一个微小电流值(几微安)时，栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽...
KNX3508A参数80V70A产品特征 RDS（ON）=11mΩ（典型值）@ VGS=10v 100%雪崩测...KNX3508A参数80V70A产品特征 RDS（ON）=11mΩ（典型值）@ VGS=10v 100%雪崩测试 可靠、坚固耐用 无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）
一、符号“Q、VI”，场效应管简称FET,是一种半导体器件，是通过电压来控制输出...一、符号“Q、VI”，场效应管简称FET,是一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件。 场效应管分三个极: D极为漏极(供电极) S极为源极(输出...
场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点,因此经常作为多级放大电流的输入级,与三...场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点,因此经常作为多级放大电流的输入级,与三极管一样,根据输入、输出回路公共端选择不同,将场效应管放电电路分为共源、公漏、共...
KNX1906B 60V230A产品特征 RDS(on)=2.7mΩ（typ.）@VGS=10V 提供无铅和绿色设...KNX1906B 60V230A产品特征 RDS(on)=2.7mΩ（typ.）@VGS=10V 提供无铅和绿色设备 高雪崩电流
