MOS管开关电流电路延迟线:开关电流技术是近年来提出的一种新的模拟信号采样、...MOS管开关电流电路延迟线:开关电流技术是近年来提出的一种新的模拟信号采样、保持、处理技术。与已成熟的开关电容技术相比,开关电流技术不需要线性电容和高性能...
MOS管构成的缓冲器Buffer:场效应管(Field-EffectTransistor)通过不同的搭配...MOS管构成的缓冲器Buffer:场效应管(Field-EffectTransistor)通过不同的搭配可以构成各种各样的门电路,如开篇所说,这些最基本的单元电路或许是现代IC的基础。...
MOS管的关断缓冲电路:在带变压器的开关电源拓扑中,开关管关断时,电压和电流...MOS管的关断缓冲电路:在带变压器的开关电源拓扑中,开关管关断时,电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分,同时,由于电路中存在杂散电感和杂散电...
MOS管栅极最高电压:大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。如果超过这个...MOS管栅极最高电压:大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。如果超过这个限制,器件就容易被损坏。当MOS管工作时使用栅极输入电阻,并在一个具有较大供电电压的...
KNF7650MOS管500V25A参数-特性:高级平面流程,RDS(ON)、(typ.)= 170mΩ@VGS =...KNF7650MOS管500V25A参数-特性:高级平面流程,RDS(ON)、(typ.)= 170mΩ@VGS = 10v,低栅极电荷使开关损耗最小化,坚固的多晶硅栅极结构
转移特性曲线如图1(b)所示, 由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流...转移特性曲线如图1(b)所示, 由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随VDs而变化,即不同的VDs 所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所...