如下所示为MOS管最为基本的驱动电路设计，R1为限流电阻，来限制栅极在刚开始时...如下所示为MOS管最为基本的驱动电路设计，R1为限流电阻，来限制栅极在刚开始时的充电电流大小，电阻的加入会使得MOS开启速度减慢，但是可以减小EMC风险。 R2电阻...
500V9A KIA4750S资料 MOS管-应用程序 适配器 充电器 smp备用电源 特性 通...500V9A KIA4750S资料 MOS管-应用程序 适配器 充电器 smp备用电源 特性 通过无铅认证 RDS(on)= 0.7Ω@VGS= 10 V 低栅电荷使开关损耗最小化 快速恢复体二极...
跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值...跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。在MOS管的结构中可以看到，在G...
功率半导体器件在工业 、消费 、军事等领域都有着广泛应用 ，具有很高的战略地...功率半导体器件在工业 、消费 、军事等领域都有着广泛应用 ，具有很高的战略地位，下面我们从一张图看功率器件的全貌：功率半导体器件又可根据对电路信号的控程度...
500V5AMOS管参数 KIA5N50H产品特征 RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V 符合Ro...500V5AMOS管参数 KIA5N50H产品特征 RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V 符合RoHS标准的 低导通电阻 低栅电荷
MOS管的构造是在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺...MOS管的构造是在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的 N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后...
