KIA半导体的KNX3706A产品是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，它提供了优良的RDS(ON)...KIA半导体的KNX3706A产品是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，它提供了优良的RDS(ON)和大多数同步降压变换器应用的栅极电荷。KNX3706A满足RoHS和绿色产品的要求，100%EA...
KIA30N06B是极高电池密度的最高性能沟槽N-ch MOSFET ,它为大多数同步BUCK变换器...KIA30N06B是极高电池密度的最高性能沟槽N-ch MOSFET ,它为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KIA30N06B满足RoHS和绿色产品要求，100%的EAS保...
1、KIA2404A产品特征 RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V 超高密度电池设计...1、KIA2404A产品特征 RDS(on) (TYP) = 2.2m? @VGS = 10 V 超高密度电池设计 超低电阻 100%雪崩测试 无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）
40V150A参数规格 KIA2804N产品特征 1、RDS（on）=3.0m@VGS=10V 2、超高密度电...40V150A参数规格 KIA2804N产品特征 1、RDS（on）=3.0m@VGS=10V 2、超高密度电池设计 3、超低导通电阻 4、快恢复体二极管 5、无铅和绿色设备（符合RoHS）
30V85AMOS管 KNX3403A产品特征 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V 无铅绿色设备 降低导...30V85AMOS管 KNX3403A产品特征 RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V 无铅绿色设备 降低导电损耗 高雪崩电流
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在...晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆...
