体效应：我们都认为MOS管的衬底和源极相连，即VBS=0。但在很多情况下，源极和衬...体效应：我们都认为MOS管的衬底和源极相连，即VBS=0。但在很多情况下，源极和衬底的电位并不相同。对NMOS管而言，衬底通常接电路的最低电位（GND），有VBS《0；对...
普通6V低电压桥式整流电源，在整流二极管内阻上的电压降往往占去了输入电压的2...普通6V低电压桥式整流电源，在整流二极管内阻上的电压降往往占去了输入电压的25％，即有1.5V的电压降损耗。采用肖特基快速二极管虽然可以减少50％的损耗，但仍然不...
场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点，而且还具备两者所缺少的优点。场效...场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点，而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性，即场效应管的源极和漏极是可以互换的（无阻尼），一般的晶体管...
开关比的定义：开关比是反应器件对电流的调控能力的，定义为器件开状态电流与关...开关比的定义：开关比是反应器件对电流的调控能力的，定义为器件开状态电流与关状态电流的比值。场效应晶体管中，在源、漏电压不变的情况下，加门压和不加门压时测...
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类...场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorF...
MOS管电流源驱动原理分析：在传统电压源驱动方式下，开关管VT门极电容充电的过...MOS管电流源驱动原理分析：在传统电压源驱动方式下，开关管VT门极电容充电的过程中，充电电流、Cin 两端电压Ugs变化如图1所示，to时刻门极平均电流Ig达到峰值Ugat...
