基于场效应管的恒流源电路原理图如下图所示，电流经过采样电阻转换为采样电压。...基于场效应管的恒流源电路原理图如下图所示，电流经过采样电阻转换为采样电压。采样电压经运放A2反向放大后作为反馈电压VF送入运放A1的同相端，与基准电压VR进行比...
CMOS模拟开关及其应用-CMOS(互补金属氧化物半导体)集成电路具有微功耗、使用电...CMOS模拟开关及其应用-CMOS(互补金属氧化物半导体)集成电路具有微功耗、使用电源电压范围宽和抗干扰能力强等特点。其发展日新月异，应用范围十分广泛。下面就MOS场...
反相器是构成逻辑电路的一个基本要素，无论是对于恢复逻辑电平的电路、与非门及...反相器是构成逻辑电路的一个基本要素，无论是对于恢复逻辑电平的电路、与非门及或非门电路，还是对于各种形式的时序电路以及存储器电路，它都是需要的。MOS管反相...
MOS管栅极驱动功率与驱动过程:在晶体管家族里，MOS管是栅极电压驱动器件，工作...MOS管栅极驱动功率与驱动过程:在晶体管家族里，MOS管是栅极电压驱动器件，工作中并无直流电流流入栅极，这与基极电流驱动的常规双极晶体管在原理上是完全不同的。...
MOS管等效模型-MOS管相比于三极管，开关速度快，导通电压低，电压驱动简单，所...MOS管等效模型-MOS管相比于三极管，开关速度快，导通电压低，电压驱动简单，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，哪怕是小功率MOS管，也会导致芯片烧坏，...
MOS管KIA9120A，200V40A资料-特性：新平面专利技术，RDS(ON)=50mΩ(typ.)@VGS=...MOS管KIA9120A，200V40A资料-特性：新平面专利技术，RDS(ON)=50mΩ(typ.)@VGS=10V，低门电荷，减小开关损耗，快速恢复体二极管
