KNX4820B场效应管漏源击穿电压200V,漏极电流9A,采用了专有新型平面技术,是一...KNX4820B场效应管漏源击穿电压200V,漏极电流9A,采用了专有新型平面技术,是一款高性能的器件,RDS(ON),典型=250mΩ@VGS=10V,保证了稳定的工作状态、低栅极电...
RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏极电流 (ID) :-100A 漏源击穿电压 (VD...RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏极电流 (ID) :-100A 漏源击穿电压 (VDS(ON)) :-40V 栅极电荷(Qg):115 nC 功耗 (PDM) :83W
P30v MOS,KPE4403A参数引脚图 漏极电流 (ID) :-5.0A 漏源击穿电压 (VDS(ON)...P30v MOS,KPE4403A参数引脚图 漏极电流 (ID) :-5.0A 漏源击穿电压 (VDS(ON)) :-30V 栅极电荷(Qg):6.5 nC 功耗 (PDM) :1.5W RDS(on)=40mΩ(typ)@ VGS=1...
P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A参数引脚图 RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V...P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A参数引脚图 RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏极电流 (ID) :-30A 漏源击穿电压 (VDS(ON)) :-60V 功耗 (PDM) :57W 栅极电...
KNX4665B场效应管具有高击穿电压、低导通电阻和低开关损耗等特点,漏源击穿电压...KNX4665B场效应管具有高击穿电压、低导通电阻和低开关损耗等特点,漏源击穿电压高达650V,漏极电流7A,能够承受较大的电压压力、良好的导电性能,RDS(ON)的典型...
KIA7610A场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流25A,RDS(开)=32mΩ,采用了先进...KIA7610A场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流25A,RDS(开)=32mΩ,采用了先进的沟槽加工技术,实现极低的导通电阻,提供杰出的性能、结工作温度175℃,具备较高...