对MOS失效的原因分析，对1，2重点进行分析 1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们...对MOS失效的原因分析，对1，2重点进行分析 1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致...
MOS管的二级效应主要有三种：背栅效应、沟道长度调制效应、亚阈值效应。在很多...MOS管的二级效应主要有三种：背栅效应、沟道长度调制效应、亚阈值效应。在很多情况下，源极和衬底的电位并不相同。对NMOS管而言，衬底通常接电路的最低电位，有VB...
KIA100N03AD 90A/30V替代IR8726，KIA100N03AD产品功率MOSFET采用起亚`平面...KIA100N03AD 90A/30V替代IR8726，KIA100N03AD产品功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优...
KND8103A可替代L7805CV1，本文将会有KNX8103A和L7805CV1两个型号的产品附件，K...KND8103A可替代L7805CV1，本文将会有KNX8103A和L7805CV1两个型号的产品附件，KIA半导体10几年一直走品质追求，也一直力争将质量做好最精致完美。KAI半导体雪崩冲击...
场效应管发热严重的原因： 1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状...场效应管发热严重的原因： 1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压...
三端稳压器的引脚识别与好坏判断方法 (1)引脚识别 三端稳压器的封装有金属封...三端稳压器的引脚识别与好坏判断方法 (1)引脚识别 三端稳压器的封装有金属封装和塑料封装两种，外形如同一只大功率晶体管，引脚的排列如图9-30所示。不同系列的...
