P沟道增强型mosfet的结构和工作原理：文中有P沟道增强型mosfet的结构示意图．通...P沟道增强型mosfet的结构和工作原理：文中有P沟道增强型mosfet的结构示意图．通过光刻、扩散的方法或其他手段，在N型衬底(基片)上制作出两个掺杂的P区，分别引出电...
KPE4703A产品特征：1、RDS(on)=19mΩ(键入)@VGS=10V 2、超低门电荷 3、绿色设...KPE4703A产品特征：1、RDS(on)=19mΩ(键入)@VGS=10V 2、超低门电荷 3、绿色设备可用 4、Cdv/dt效应下降 5、先进的高密度槽道技术
KPE4403A2产品特征 ：1、RDS(on)=42mΩ(键入)@VGS=10V 2、绿色设备可用 3、超...KPE4403A2产品特征 ：1、RDS(on)=42mΩ(键入)@VGS=10V 2、绿色设备可用 3、超低门电荷 4、Cdv/dt效应下降 5、先进的高密度槽道技术
KNX3206A产品特征1、RDS(ON)=6.5mΩ(类型)@V GS=10V 2、低RD（ON）减小导电损耗...KNX3206A产品特征1、RDS(ON)=6.5mΩ(类型)@V GS=10V 2、低RD（ON）减小导电损耗 3、用于快速交换的低门电荷 4、优化的BVDSS性能
正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和...正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸...
mos管KIA4N65H-产品特征：1、RDS(on)=2.5Ω@VGS=10V 2、低门电荷（典型的16nC...mos管KIA4N65H-产品特征：1、RDS(on)=2.5Ω@VGS=10V 2、低门电荷（典型的16nC） 3、高韧性 4、快速切换 5、N100%雪崩试验 6、改进的dv/dt能力
