KND3504A场效应管,采用了沟槽功率低压MOSFET技术,漏极电流70A,漏源击穿电压...KND3504A场效应管,采用了沟槽功率低压MOSFET技术,漏极电流70A,漏源击穿电压40V,具有低导通电阻,典型值为7.0mΩ;出色的散热封装和低RDS(ON)的高密度电池设...
KNH3730A场效应管是一款性能优越的器件,采用专有新型平面技术,具有50A的漏极...KNH3730A场效应管是一款性能优越的器件,采用专有新型平面技术,具有50A的漏极电流和300V的漏源击穿电压,RDS(ON)在VGS=10V时仅为70mΩ(典型值),能够实现低栅...
KIA7N65H是一款高性能场效应管,具有出色的性能和可靠性,漏极电流7A,漏源击穿...KIA7N65H是一款高性能场效应管,具有出色的性能和可靠性,漏极电流7A,漏源击穿电压高达650V,导通电阻仅为1.2Ω,在10V的栅极电压下能够提供稳定的性能;能够替代...
KCX3008A场效应管场效应管漏极电流120A,漏源击穿电压为85V,采用先进的SGT技术...KCX3008A场效应管场效应管漏极电流120A,漏源击穿电压为85V,采用先进的SGT技术,具有极低的RDS(开启)值,典型值为4.5 mΩ@Vgs=10V,表现出优秀的栅极电荷与RDS...
6n65场效应管漏极电流5.5A,漏源击穿电压为650V,RDS(ON)=1.9Ω @ VGS=10V;...6n65场效应管漏极电流5.5A,漏源击穿电压为650V,RDS(ON)=1.9Ω @ VGS=10V;具有低栅极电荷,典型值为16nC,KIA6N65H N沟道增强型硅栅极功率MOSFET专为高压、高...
KIA4365A场效应管是一款高性能的电子器件,漏极电流4A,漏源击穿电压为650V,R...KIA4365A场效应管是一款高性能的电子器件,漏极电流4A,漏源击穿电压为650V,RDS(ON)典型值为2.0Ω,在VGS为10V,ID为2A时;这款场效应管采用了快速切换技术,经...