近来，LLC拓扑以其高效，高功率密度遭到广阔电源规划工程师的喜爱，可是这种软...近来，LLC拓扑以其高效，高功率密度遭到广阔电源规划工程师的喜爱，可是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负...
（1）穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐渐增大的特征，这是因为耗尽层...（1）穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐渐增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，发生电流较大。另一方面，耗尽层展广大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏...
Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压 UGS=0时的...Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压 UGS=0时的漏源电流. Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅...
三端稳压管型号 简介 三端稳压管是一种直到临界反向击穿电压前都...三端稳压管型号 简介 三端稳压管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定...
快恢复二极管的最主要特点是它的反向恢复时间（trr)在几百纳秒(ns)以下，超快恢...快恢复二极管的最主要特点是它的反向恢复时间（trr)在几百纳秒(ns)以下，超快恢复二极管以致能抵达几十纳秒。反向恢复时间(trr)，它的定义是：电流经过零点由正向...
耗尽型场效应管 根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强...耗尽型场效应管 根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸收到栅极，从...
