如图所示为N沟道VDMOSFFT与GTR组合的N沟道IGBT(N-IGBT)的内部结构断面示意图。...如图所示为N沟道VDMOSFFT与GTR组合的N沟道IGBT(N-IGBT)的内部结构断面示意图。IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区,形成丁一个大面积的PN结J1。由于IGBT导通时由P+注入...
绝缘栅双极型晶体管的原理,分类,优势与缺点绝缘栅双极型晶体管的原理,分类,优势与缺点
场效应管场效应管是应用电场效应来控制电流变化的放大元件。它与晶体管相比,具...场效应管场效应管是应用电场效应来控制电流变化的放大元件。它与晶体管相比,具有输入阻高、噪声低、热稳定性好等优点,因此得到了疾速开展与应用。场效应管与晶体...
(1)MOS管是电压控制元件,而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流...(1)MOS管是电压控制元件,而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的状况下,应选用MOS管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选...
场效应管是只要一种载流子参与导电,用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N...场效应管是只要一种载流子参与导电,用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和...
mos在控制器电路中的工作状态:开经过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态...mos在控制器电路中的工作状态:开经过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态,开...