DGMOSFET（Dual gate MOSFET，双栅极MOSFET）是一种有两个栅极的四端器件，两个...DGMOSFET（Dual gate MOSFET，双栅极MOSFET）是一种有两个栅极的四端器件，两个栅极都可以对沟道进行控制，目的是为了控制的便利性与独立性，尤其是有两个控制量的...
MOSFET采用横向双扩散结构(IDMOS)来兼顾工作频率与功率的要求，MESFET则采用肖...MOSFET采用横向双扩散结构(IDMOS)来兼顾工作频率与功率的要求，MESFET则采用肖特基势垒栅极(Schottky Gate FET)结构（图1.24）。就PN结的特性而言，与肖特基二极管...
采用DMOS工艺的VMOS最初称为VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直沟道...采用DMOS工艺的VMOS最初称为VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直沟道，双扩散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽栅垂直...
认识电路中的VMOS，辨别引脚符号认识电路中的VMOS，辨别引脚符号
耗尽型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)与增强型MOSFET有着同样的栅极结构，所...耗尽型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)与增强型MOSFET有着同样的栅极结构，所不同是，在常态下，它内部的（导电）沟道是天生的。换言之，常态下的耗尽型MOSFET是...
在常态下，MOSFET中并没有导电通道，在有了偏置电压时，在电场的作用下，源极（...在常态下，MOSFET中并没有导电通道，在有了偏置电压时，在电场的作用下，源极（区）与栅极（区）之间就会形成导电通道，并且随着偏置电压的增加而加宽，导电能力增...
