新闻中心-KIA半导体-广东可易亚半导体科技有限公司

【半导体资讯】IGBT的激光退火工艺-KIA MOS管

IGBT背面工艺首先是基于已完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减...IGBT背面工艺首先是基于已完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理，然后对减薄硅...

MOSFET器件-亚阈值摆幅（STS)详解-KIA MOS管

亚阈值摆幅是衡量晶体管开启与关断状态之间相互转换速率的性能指标，它代表源漏...亚阈值摆幅是衡量晶体管开启与关断状态之间相互转换速率的性能指标，它代表源漏电流变化十倍所需要栅电压的变化量，又称为S因子，S越小意味着开启关断速率ON/OFF越...

【电路设计】按键方案、工作原理图文分享-KIA MOS管

一般使用的按键原理图如下图所示，由按键、上拉电阻和消抖滤波电容组成。按键断...一般使用的按键原理图如下图所示，由按键、上拉电阻和消抖滤波电容组成。按键断开时KeyIin1处电压被上拉到+5V，当按键闭合时把KeyIin1电压拉到0V，与按键并联的电...

无刷电机选型40V80A KNX3404C TO-252 送样-KIA MOS管

KNX3404C是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优...KNX3404C是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KND3404C满足RoHS和绿色产品要求, 100%的EAS保证了全部功能的可...