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【分享】MOS管波形异常的解决方法-KIA MOS管
MOS管波形在各拓扑结构中的波形都会不一样，对与PFC来说，MOS管波形见图2，这是因为工作在了CCM模式下的PFC MOS管波形，可以看到尖峰非常高，www.kiaic.com/article/detail/3356.html 2022-02-21
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巧妙区分PMOS管和NMOS管的记忆方法-KIA MOS管
箭头指向G极的是N沟道箭头背向G极的是P沟道MOS管的管脚有三个：源极S（source）、栅极G（Gate）和漏极（Drain），但是实际工程应用中，经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的位置以及它们各自导通的条件。对此，本文分享一个方法，可以让大家迅速记住这些东西而...www.kiaic.com/article/detail/3355.html 2022-02-21
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小电流MOS管KIA3415 SOT-23 资料-16V-4.0A免费送样-KIA MOS管
KIA3415采用了先进的沟道技术。提供卓越的R-DS（开）、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该装置适合作为负载开关或在PWM中应用。KIA3415是标准不含铅产品。www.kiaic.com/article/detail/3354.html 2022-02-18
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电阻最大电压如何计算？两种计算方法分享-KIA MOS管
导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。电阻（Resistor，通常用“R”表示）是一个物理量，在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种性质。导体的电阻通常用字...www.kiaic.com/article/detail/3353.html 2022-02-18
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关于功率半导体电流额定值和热设计分享-KIA MOS管
电气设备（如断路器，电机或变压器）的电流额定值，是指在某个电流下，器件本身达到的温度可能损害器件可靠性和功能时的电流值。制造商虽然知道器件材料的温度限值，但是他并不知道使用器件时的环境温度。因此，他只能假设环境温度。www.kiaic.com/article/detail/3352.html 2022-02-18
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详解电路设计中零欧姆电阻的作用-KIA MOS管
零欧电阻，即电阻标值为0欧姆的电阻称为零欧电阻。是一种理想电阻，多用于PCB设计等方面。对于初学者可能会有一个疑问：既然阻止是零，那么和一根导线有什么区别？为什么不直接连起来？www.kiaic.com/article/detail/3351.html 2022-02-17
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SiC MOSFET栅极驱动电路和Turn-onTurn-off动作-KIA MOS管
LS（低边）侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压（VGS）带来的影响时,需要在包括SiC MOSFET的栅极驱动电路的寄生分量在内的等效电路基础上进行考量。www.kiaic.com/article/detail/3350.html 2022-02-17
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SiC MOSFET的桥式结构图文分析-KIA MOS管
20 世纪90 年代以来，碳化硅(silicon carbide，SiC)MOSFET 技术的迅速发展，引起人们对这种新一代功率器件的广泛关注。与Si 材料相比，碳化硅材料较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽度又决定了SiC 器件的高击穿场强和高工作温度。www.kiaic.com/article/detail/3349.html 2022-02-17
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三端稳压管KIA78L09 参数规格 图文资料 优质芯片-KIA MOS管
KIA78L09是单片固定式稳压器集成电路，适用于需要高达100mA电源电流的场合。三端稳压管KIA78L09特征1、输出电流高达100mA2、无需要外部零件3、热过载停机保护4、短路限流5、SOT89封装www.kiaic.com/article/detail/3348.html 2022-02-16
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图文详解功率MOSFET的驱动电感性负载-KIA MOS管
小脚设备在各种低压电动机驱动应用中提供了可测量的优势。在计算机硬盘中，诸如磁道密度，寻道时间和功耗之类的关键特征与主轴电机和磁头致动器驱动电路的效率直接相关。磁盘驱动器必须从计算机系统提供的低压电源（传统上，稳压良好的12 V电源）中获取最大的电...www.kiaic.com/article/detail/3347.html 2022-02-16
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详解-运算放大器中“轨到轨”的作用-KIA MOS管
设计放大电路时，随着信号的幅度的增大，输出信号逐渐增大。但会遇到下面两种情况：1）当输出信号增大到一定程度时，虽然此时的输出信号幅度还没有达到电源轨，但输出信号已经饱和，如图 1。2）当供电电压一定时，随着负载阻抗的减小，输出信号出现饱和。www.kiaic.com/article/detail/3345.html 2022-02-16
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【图文】电源开关设计如何选择最优MOSFET？-KIA MOS管
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）主要用于开关应用中，具有高电压和高电流的特点。它们具有更高的效率和更优良的高速开关能力，因此成为电源开关设计中的最佳选择。我们来看一些筛选标准，以便为电力电子解决方案选择合适的MOSFET。www.kiaic.com/article/detail/3344.html 2022-02-15
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小功率电机驱动方案及驱动IC的选择分享-KIA MOS管
电机驱动作为工业中工厂自动化整个闭环中的执行器环节，其性能好坏直接影响到整个闭环的性能。因此，工业对电机驱动提出了更高的性能和功能要求，例如更快的响应速度、更高的带宽、更高精度的位置和速度控制、以及更丰富的网络互联功能等。www.kiaic.com/article/detail/3343.html 2022-02-15
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【实测】正确理解驱动电流与驱动速度-KIA MOS管
通过实测两款芯片SLM2184S和IR2184S的性能来说明驱动电流建立时间对驱动速度的影响。表格1对比了SLM2184S和IR2184S的各项测试。虽然SLM2184S的峰值源电流[IO+]和峰值灌电流[IO-]比IR2184S的测试值偏小，但是SLM2184S的电流建立时间远比IR2184S的建立时间更短。...www.kiaic.com/article/detail/3342.html 2022-02-14