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MOS管 3406/KNX3406A 80A/60V主要参数:型号:KNX3406A工作方式:80A/60V漏源电压:60V栅源电压:±25 V脉冲漏电流:280A雪崩电流:20A雪崩能源:225mJ漏源击穿电压:60V二极管连续正向电流:80A输入电容:6050pF输出电容:170pF反向转移电容:100pF
www.kiaic.com/article/detail/1609.html 2019-04-28
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本文主要是解析如何把开关电源设计达到线性电源水平。这里先介绍一下开关电源基本知识,又称交换式电源、开关变换器,是一种高频化电能转换装置,是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压,透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。开关电源的...
www.kiaic.com/article/detail/1608.html 2019-04-28
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KIA半导体MOS管KNX9130A替代FQA40N25,KIA MOS管KNX9130A相比FQA40N25在价格上有很大优势。KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体从设计研发到制...
www.kiaic.com/article/detail/1602.html 2019-04-26
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MOS管的现状与挑战,mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端...
www.kiaic.com/article/detail/1607.html 2019-04-26
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功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。功率MOS管保护电路设计,...
www.kiaic.com/article/detail/1606.html 2019-04-26
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KIA半导体MOS管 KNX2404A替代IRF1404PBF,本文有详细的KNX2404A和IRF1404PBF两个型号的封装、参数及附有规格书。
www.kiaic.com/article/detail/1605.html 2019-04-26
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MOS管 KNX3203B 100A/30V参数:型号:KNX3203B工作方式:100A/30V漏源电压:30V脉冲漏极电流:320A雪崩能量,单脉冲:90MJ栅源电压:±20V功耗:101W漏源击穿电压:30V输入电容:2340pF输出电容:460pF反向转移电容:305pF封装:TO-252
www.kiaic.com/article/detail/1604.html 2019-04-25
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MOS管KNX7650A替代FQA24N50,KIA半导体主营半导体产品丰富,是一家国产MOS管厂家。专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
www.kiaic.com/article/detail/1603.html 2019-04-25
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MOS管 3703 50A/30V产品主要参数:型号:KNX3703A工作方式:50A/30V漏源极电压:30V栅源电压:±20V持续漏电流 :50A脉冲漏电流:200A操作连接和贮存温度范围:-55℃至150℃输入电容:1300pF输出电容:270pF反向转移电容:145pF
www.kiaic.com/article/detail/1601.html 2019-04-24
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本文主要讲mos管在电路中的作用,所以先了解一下MOS管基本知识。MOS管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。...
www.kiaic.com/article/detail/1600.html 2019-04-24
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P型MOS管是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,栅极上加有足够的负电压(源极接地)时,栅极下...
www.kiaic.com/article/detail/1599.html 2019-04-24
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MOS管 KNX2808A 150A/80V主要参数:产品型号:KNX2808A工作方式:150A/80V漏源电压:80V栅源电压:±25V漏电流连续:150A脉冲漏极电流:660A雪崩能量:1.1***mJ耗散功率:178W热电阻:62.5℃/W漏源击穿电压:80V栅极阈值电压:2.0V输入电容:6109PF输出电容...
www.kiaic.com/article/detail/1598.html 2019-04-23
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MOS管KIA3508A替代FH80N07产品-MOS管KIA3508A简介:产品型号:KIA3508工作方式:70A/80V漏源电压:80V栅源电压:±25V漏电流连续:70A脉冲漏极电流:240A雪崩电流:70A漏源击穿电压:80V栅极阈值电压:2.0V输入电容:2900 PF输出电容:290 PF上升时间:11 ...
www.kiaic.com/article/detail/1597.html 2019-04-23
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TO-263封装MOS管原厂如下,深圳市可易亚半导体科技有限公司(简称KIA半导体).是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
www.kiaic.com/article/detail/1596.html 2019-04-23