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漏源电压:600V栅源电压:±30A漏电流连续:12A脉冲漏极电流:48A
www.kiaic.com/article/detail/4399.html 2023-08-02
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在社会的飞速发展中,便携式储能电源的需求自然激增,因此厂家一定要重视产品对MOS管的使用。10n60针对储能电源应用,具有更耐冲击、同等参数雪崩更高的特性,提高效率的同时给产品应用也提供更稳定的保障。
www.kiaic.com/article/detail/4390.html 2023-07-28
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KIA半导体这款5N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于高压H桥PMW马达驱动、AC-DC开关电源、DC-DC电源转换器。
www.kiaic.com/article/detail/4338.html 2023-07-05
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KIA3710功率MOSFET是使用基于沟槽布局的工艺设计的与各种来源的标准零件相比,性能得到了提高。KIA3710在开关稳压器的设计,应用开关变换器、电机、继电器高功率和低栅极驱动的高功率双极开关晶体管驱动器和驱动器功率。
www.kiaic.com/article/detail/4273.html 2023-06-02
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?KNX2906B 60V130A HY3306参数代换-产品描述该功率MOSFET采用KIA的先进技术生产。该技术使功率MOSFET具有更好的特性,包括快速开关时间,低导通电阻,低栅电荷,特别是优异的雪崩特性。
www.kiaic.com/article/detail/3844.html 2022-10-13
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KIA12N65H N沟道增强型MOSFET;12N65参数650V12A;12N65引脚TO-220F;12N65场效应管中文资料规格书12N65引脚图
www.kiaic.com/article/detail/3715.html 2022-08-12
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这些N沟道增强模式的功率场效应晶体管是用KIA半导体制造的专有、平面、DMOS技术。这项先进的技术经过了特别的调整,以使其最小化通态电阻,提供优越的开关性能,并承受高能量脉冲在雪崩和换向模式。这些器件非常适合于高效率的开关模式电源供应和电子灯镇流器的...
www.kiaic.com/article/detail/3702.html 2022-08-05
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选择一款正确的MOS管,可以很好地控制生产制造成本,最为重要的是,为产品匹配了一款最恰当的元器件,这在产品未来的使用过程中,将会充分发挥其“螺丝钉”的作用,确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果,下面详细介绍3n150代替型号KNL42150A 1500V3A...
www.kiaic.com/article/detail/3422.html 2022-07-14
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大功率mos管参数、大功率mos管工作原理、大功率MOS管构造、在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧...
www.kiaic.com/article/detail/959.html 2020-10-28
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一、定性判断MOS型场效应管的好坏,场效应管代换原则与好坏判断详解,先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(...
www.kiaic.com/article/detail/2353.html 2020-09-24
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60V MOS管的系列N沟道MOS管:KIA30N06B (25A/60V)、KNX8606A (35A/60V)、KIA50N06B (50A/60V)、KNX3706A (50A/60V)、KNX3406A (80A/60V)、KNX3306B (80A/60V)、KNX3206A (110A/60V)、KIA3205S (130A/60V)、KIA2906A (130/60V)、KIA2806A (1...
www.kiaic.com/article/detail/1838.html 2019-08-14
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p75nf75场效应管代换KIA75NF75:KIA75NF75替代ST75NF7可完美ST的这款产品,文中有两个产品的参数详细资料。
www.kiaic.com/article/detail/1464.html 2019-02-21