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绝缘栅型场效应管

信息来源:本站 日期:2017-04-13 

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绝缘栅型场效应管

在结型场效应管中,栅极和沟道间的PN结是反向偏置的,所以输入电阻很大。但PN结反偏时总会有一些反向电流存在,这就限制了输入电阻的进一步提高。如果在栅极与沟道间用一绝缘层隔开,便制成了绝缘栅型场效应管,其输入电阻可提高到。根据绝缘层所用材料之不同,绝缘栅场效应管有多种类型,目前应用最广泛的一种是以二氧化硅(SiO2)为绝缘层的金属一氧化物一半导体(Meial-Oxide-Semiconductor)场效应管,简称MOS场效应管(MOSFET)。它也有N沟道和P沟道两类,每类按结构不同又分为增强型和耗尽型。


一、耗尽型MOS管

N沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS管的结构基本相同。差别在于耗尽型MOS管的SiO2绝缘层中掺有大量的正离子,故在UGS= 0时,就在两个N十区之间的P型表面层中感应出大量的电子来,形成一定宽度的导电沟道。这时,只要UDS>0就会产生ID。对于N沟道耗尽型MOS管,无论UGS为正或负,都能控制ID的大小,并且不出现栅流。这是耗尽型MOS管区别于增强型MOS管的主要特点。

二、增强型MOS管


1.结构与符号

图Z0125是N沟道增强型MOS管的结构示意图和符号。它是在一块P型硅衬底上,扩散两个高浓度掺杂的N+区,在两个N+区之间的硅表面上制作一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,然后在SiO2和两个N型区表面上分别引出三个电极,称为源极s、栅极g和漏极d。在其图形符号中,箭头表示漏极电流的实际方向。

2.输出特性曲线

N沟道增强型MOS管输出特性曲线如图Z0127所示,它是UGS为不同定值时,ID 与UDS之间关系的一簇曲线。由图可见,各条曲线变化规律基本相同。现以UGS=5V一条曲线为例来进行分析。设UGS>VT,导电沟道已形成。当UDS= 0时,沟道里没有电子的定向运动,ID=0;当UDS>0且较小时,沟道基本保持原状,表现出一定电阻,ID随UDS线性增大 ;当UDS较大时,由于电阻沿沟道递增,使UDS沿沟道的电位从漏端到源端递降,所以沿沟道的各点上,栅极与沟道间的电位差沿沟道从d至s极递增,导致垂直于P型硅表面的电场强度从d至s极也递增,从而形成沟道宽度不均匀,漏端最窄,源端最宽如图Z0126所示。随着UDS的增加,漏端沟道变得更窄,电阻相应变大,ID上升变慢 ;当UDS继续增大到UDS=UGS- VT时,近漏端的沟道开始消失,漏端一点处被夹断;如果UDS再增加,将出现夹断区。这时,UDS增加的部分基本上降在夹断区上,使夹断部分的耗尽层变得更厚,而未夹断的导电沟道不再有多大变化,所以ID将维持刚出现夹断时的数值,趋于饱和,管子呈现恒流特性。

对于不同的UGS值,沟道深浅也不同,UGS愈大,沟道愈深。在恒流区,对于相同的UDS 值,UGS大的ID也较大,表现为输出特性曲线上移。

3.工作原理

绝缘栅场效应管的导电机理是,利用UGS 控制"感应电荷"的多少来改变导电沟道的宽窄,从而控制漏极电流ID。若UGS=0时,源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管,UGS=0 时,漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管。

图Z0125中衬底为P型半导体,在它的上面是一层SiO2薄膜、在SiO2薄膜上盖一层金属铝,如果在金属铝层和半导体之间加电压UGS,则金属铝与半导体之间产生一个垂直于半导体表面的电场,在这一电场作用下,P型硅表面的多数载流子-空穴受到排斥,使硅片表面产生一层缺乏载流子的薄层。同时在电场作用下,P型半导体中的少数载流子-电子被吸引到半导体的表面,并被空穴所俘获而形成负离子,组成不可移动的空间电荷层(称耗尽层又叫受主离子层)。UGS愈大,电场排斥硅表面层中的空穴愈多,则耗尽层愈宽,且UGS愈大,电场愈强;当UGS 增大到某一栅源电压值VT(叫临界电压或开启电压)时,则电场在排斥半导体表面层的多数载流子-空穴形成耗尽层之后,就会吸引少数载流子-电子,继而在表面层内形成电子的积累,从而使原来为空穴占多数的P型半导体表面形成了N型薄层。由于与P型衬底的导电类型相反,故称为反型层。在反型层下才是负离子组成的耗尽层。这一N型电子层,把原来被PN结高阻层隔开的源区和漏区连接起来,形成导电沟道。

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