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N沟道mos管集成电路

信息来源:本站 日期:2017-03-27 

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MOS管也有N沟道和P沟道之分,并且每一类又分为增强型和耗尽型两种,二者的差别是增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时,漏-源极之间没有MOS管跨导电沟道存在,纵然加上电压vDS(在一定的数字范围内),也没有漏极电小产生(iD=0)。 在一块夹杂液体浓度较低的P型硅衬底上,用光刻、廓张工艺制造两个高夹杂液体浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,道别作漏极d和源极s。显然它的栅极与其他电极间是绝缘的。并且,由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻,在高温前提下办公时,PN结逆向电流增大,反偏电阻的阻值表面化减退。


结型场效应管的输入电阻虽然可达106~109W,但在要求输入电阻更高的场合,仍旧不可以满足要求。与结型场效应管不一样,金属-氧气化物-半导体场效应管(MOSFET)的栅极与半导体之距离有二氧气化硅(SiO2)绝缘媒介,使栅极处于绝缘状况(故又叫作绝缘栅场效应管),故而它的输入电阻可高达1015W。而耗尽型MOS管在vGS=0时,漏-源极间就有导电沟道存在。

N沟道金属-氧气化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及办公原理:

N沟道mos管结构和工作原理。

P沟道加强型MOS管的箭头方向与上面所说的相反。额外在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。它的另一个优点是制作工艺简朴,适于制作大规模及超大规模集成电路。而后在半导体外表复盖一层很薄的二氧气化硅(SiO2)绝缘层,在漏-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。




例1N沟道加强型场效应管结构



例2N沟道加强型MOS管代表符号




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