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电动车控制器75N75型号参数及封装-MOS在电动车控制器中的应用-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-12-04 

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电动车控制器参数型号资料

KIA75NF75产品描述

75NF75是N沟道增强型功率场状态特性稳定、快速的效应晶体管开关速度,低热阻,常用于电信和计算机应用。


KIA75NF75产品特征

RDS(ON)=12.5m? @VGS=10V

超低栅电荷(典型的90纳米)

快速交换能力

指定雪崩能量

改进的dv/dt能力,坚固性高


KIA75NF75参数范围

产品型号:KIA75NF75

工作方式:80A/80V

漏源电压:80V

栅源电压:±25V

连续漏电流:80A/70A

脉冲漏电流:340A

雪崩电流:20A

雪崩能源:410MJ

最大功耗:240W/100W


KIA75NF75封装图

电动车控制器,75NF75


KIA75NF75产品附件详情

查看详情,请点击下图。

电动车控制器,75NF75


MOS在控制器电路中的工作状态

开通过程、导通状态、关断过程、截止状态、击穿状态。  

MOS主要损耗包括开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。电动车控制器场效应管只要把这些损耗控制在MOS承受规格之内,MOS即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。

而开关损耗往往大于导通状态损耗,尤其是PWM没完全打开,处于脉宽调制状态时(对应电动车的起步加速状态),而最高急速状态往往是导通损耗为主。


MOS管在电动车控制器中的作用

电动车控制器场效应管简单来说电机是靠MOS的输出电流来驱动的,输出电流越大(为了防止过流烧坏MOS管,控制器有限流保护),电机扭矩就强,加速就有力。


MOS在电动车控制器中的应用

我们电动车控制器场效应管和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。小功率mos是平面型结构。而电动车上上用的功率mos是立体结构。平面型结构是指,mos栅极,源级和漏级都在芯片表面(或者说正面),而沟道也在芯片表面横向排列。(我们常见的教科书的介绍mos原理一般都是拿平面结构介绍)。而功率mos的立体结构(沟道是深槽立体结构)是栅极和源级引线从芯片正面引出(其实栅极也不在表面而是内部,只是比较靠近表面),而漏级是从芯片背面引出(其实整个芯片背面都是漏级连接在一起的,整个个漏级用焊接材料直接焊接在金属板上,就是mos的金属背板,一般是铜镀锡的),所以我们见到的mos一般金属板和中间引脚(就是漏级)是完全导通的(有些特殊的封装是可以做到金属板和中间脚绝缘的)。


功率mos内部从漏级到源级是有一个二极管的,这个二极管基本上所有的功率mos都具有,和它本身结构有关系(不需要单独制造,设计本身就有)。当然可以通过改变设计制造工艺,不造出这个二极管。但是这会影响芯片功率密度,要做到同样耐压和内阻,需要更大的芯片面积(因为结构不同)。大家只是知道这回事就行了。


我们所见的电动车控制器场效应管,其实内部由成千上万个小mos管并联而成(实际数量一般是上千万个,和芯片面积和工艺有关)。如果在工作中,有一个或几个小管短路,则整个mos表现为短路,当然大电流短路mos可能直接烧断了(有时表现为金属板和黑色塑封间开裂),又表现为开路。大家可能会想这上千万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧,其实真没那么容易,目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。


它们的各种开关动作几乎完全一致,当然最终烧坏时,肯定有先承受不了的小管先坏。所以管子的稳定性和制造工艺密不可分,差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。有时一点小的工艺缺陷(比如一个1um甚至更小的颗粒如果在关键位置)往往会造成整个芯片(缺陷所在的管芯)报废。


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