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2N65H 2.0A/650V MOS管中文资料及封装-原厂直销 免费送样-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-12-24 

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MOS管 2N65H产品描述

此功率MOSFET是采用KIA先进的平面条纹DMOS工艺生产的。这先进的技术已经专门针对最小化通态电阻,提供了优越的开关性能好,在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲。这些适用于高效率开关电源,有功功率因数校正基于半桥拓扑。

MOS管2N65H特征

RDS (on) =4.3Ω@VGS=10V

低门电荷(典型的6.5nC)

高韧性

快速切换

100%雪崩试验

改进的dv/dt能力

MOS管2N65H产品封装引脚图

MOS管,2N65H,2.0A/650V/

MOS管2N65H产品主要参数

型号:KIA2N65H

电流:2.0A

电压:650V

漏源极电压:650V

漏电流脉冲:7.5A

栅源电压:±30V

单脉冲雪崩能:100MJ

重复雪崩能:4.2MJ

峰值二极管恢复:4.5V/ns

MOS管2N65H电路特征

MOS管,2N65H,2.0A/650V

MOS管,2N65H,2.0A/650V

MOS管2N65H规格书

查看详情,请点击下图。

MOS管,2N65H,2.0A/650V



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