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20N50 20A/500V原厂供货 中文参数资料-货源稳定 免费送样-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2018-12-25 

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MOS管20N50产品特征

1、KIA20N50H N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高功率MOSFET设计的电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源等。有源功率因数校正。

2、RDS(on) =0.21?@VGS=10V

3、低门电荷(典型的70纳米)

4、快速切换能力

5、雪崩能量指定

6、改进的dv/dt能力

MOS管20N50产品主要参数

产品型号:KIA20N50H

工作方式:20A/500V

漏源极电压:500V

栅源电压:±30V

功能温度:+150℃

贮存温度:-55℃至+150℃

MOS管 20N50标准封装及引脚

20N50,20A/500V

MOS管20N50应用领域

1、开关电源

2、逆变器

3、扫地机电源

4、吸尘器电源

MOS管 20N50产品附件

以下为KIA20N50H产品PDF格式的产品详细资料,查看详情请点击下图。

20N50,20A/500V



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