MOS管 9N90产品概述
这款MOS管是一款高压MOS管，这款mos有着高耐压性能。此功率MOSFET采用KIA先进的平面条纹DMOS工艺生产。这先进的技术已经专门针对最小化通态电阻，提供了优越的性能开关性能好，在雪崩和整流模式下能承受高能量的脉冲。这些适用于高效率开关电源，有功功率因数校正基于半桥拓扑。
MOS管 9N90产品特征
RDS(on)=1.05Ω@VGS=10
五低门电荷（典型的70纳米）
高韧性
快速切换
100%雪崩试验
改进的数字视频传输能力
提高N-ESD的性能
MOS管 9N90产品主要参数详情
型号：KIA9N90S
电流：9A
电压：900V
漏源极电压：900V
栅源电压：±30V
单脉冲雪崩能：900MJ
雪崩电流：9A
重复雪崩能：28MJ
操作和存储温度范围：-55℃至+150℃
MOS管 9N90产品封装及引脚
MOS管 9N90产品附件
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
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联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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