30N03B低压MOS管-产品介绍
KIA30N03B是性能最高的沟道型N-ch MOSFETs，具有极高的性能单元密度，为大部分同步降压转换器提供优良的RDSON和栅极电荷产品用途：满足罗氏和绿色产品的需求，100%艾氏保真全功能可靠性批准。
30N03B低压MOS管产品特性
RDS(on) = 15mωVDS = 30V
高单元密度沟槽技术
超低门电荷
优异的Cdv/dt效应下降
100%EAS保证
绿色设备可用
30N03B低压MOS管应用领域
用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点负载同步降压转换器
网络直流供电系统
负荷开关
30N03B低压MOS管封装及引脚图
30N03B低压MOS管参数
型号：KIA30N03B（N沟道）
工作方式：30A/30V
漏源极电压：30V
脉冲漏电流：60A
单脉冲雪崩能：72MJ
雪崩电流:21A
总功率耗散:25W
运行结温范围：-55℃至150℃
30N03B低压MOS管附件详情
查看详情，请点击下图。
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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