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MOS管 KNX9130A替代IRFB4137 40A/300V规格书 内阻低-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-03-22 

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MOS管,KNX9130A替代IRFB4137,40A/300V

KIA半导体产品MOS管KNX9130A替代IRFB4137,KNX9130A相比IRFB4137,KIA半导体场效应管有着雪崩冲击低、低内阻等技术优势。下文将会有KNX9130A和IRFB4137两个产品详细参数、封装、规格书。


KIA半导体也一直执行全面质量管理体系,是将所有产品质量从芯片设计开始,一直贯彻到客户使用的全过程质量跟踪和监控。我们确定在这一质量控制体系下生产的产品,在相关环节的质量状态和信息都是有效控制,确保提供给客户的产品是安全可靠的。下文将描述KNX9130A产品附件及主要参数详情


MOS管 KNX9130A产品特征

RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V

专有的新平面技术

低栅电荷最小开关损耗

快速恢复体二极管


KNX9130A替代IRFB4137-KNX9130A 40A/300V主要参数详情

型号:KNX9130A

工作方式:40A/300V

漏源极电压:250V

栅极到源极电压:±20V

连续漏电电流:40A

单脉冲雪崩能量:1250MJ

二极管峰值恢复:5.0V/ns

漏源击穿电压:300V

二极管正向电压:1.5V

输入电容:3100pF

输出电容:250pF

反向传输电容:80pF


KNX9130A封装图

查看详情,请点击下图。


MOS管,KNX9130A替代IRFB4137,40A/300V


KNX9130A 40A/300V产品规格书

查看详情,请点击下图。

MOS管,KNX9130A替代IRFB4137,40A/300V


IRFB4137的产品特征

MOS管 KNX9130A替代IRFB4137的产品特征如下:

1、改进的雪崩和动态的dV/dt坚固性

2、增强二极管dV/dt和dI/dt能力

3、无铅、符合RoHS标准


KNX9130A替代IRFB4137-MOS管 IRFB4137 38A/300V主要参数

型号:IRFB4137

参数:38A/300V

封装:TO-220

脉冲漏电流:152A

最大功耗:341W

线性递减因子:2.3W/℃

栅极到源极电压:±20V

二极管峰值恢复:8.9V/ns

漏源击穿电压:300V

栅极电阻:1.3Ω


MOS管 IRFB4137 38A/300V产品规格书

查看规格书,请点击下图。

MOS管,KNX9130A替代IRFB4137,40A/300V



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