MOS管,KNX6165A,10A/650V
MOS管 KNX6165A 10A/650V产品简介
KNX6165A通道增强型硅栅功率MOSFET是为高压设计的。高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源，开关电源等。基于半桥拓扑的功率因数校正电子灯镇流器。
MOS管 KNX6165A产品特点
1、RDS(ON),typ=0.6Ω@VGS=10V
2、符合ROHS标准
3、低栅电荷最小开关损耗
4、快速恢复体二极管
MOS管 KNX6165A 10A/650V参数详情
产品型号：KNX6165A
工作方式：10A/650V
漏源电压：650V
栅源电压：±20V
漏电流连续：10A
脉冲漏极电流：40A
雪崩能量：800mJ
耗散功率：216W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：650V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1554PF
输出电容：153PF
上升时间：31ns
MOS管 KNX6165A封装
MOS管 KNX6165A规格书
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