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KIA品牌 MOS管原厂 KNX6165A 10A/650V规格书/封装-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-03-25 

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MOS管,KNX6165A,10A/650V

MOS管 KNX6165A 10A/650V产品简介

KNX6165A通道增强型硅栅功率MOSFET是为高压设计的。高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源,开关电源等。基于半桥拓扑的功率因数校正电子灯镇流器。


MOS管 KNX6165A产品特点

1、RDS(ON),typ=0.6Ω@VGS=10V

2、符合ROHS标准

3、低栅电荷最小开关损耗

4、快速恢复体二极管


MOS管 KNX6165A 10A/650V参数详情

产品型号:KNX6165A

工作方式:10A/650V

漏源电压:650V

栅源电压:±20V

漏电流连续:10A

脉冲漏极电流:40A

雪崩能量:800mJ

耗散功率:216W

热电阻:62℃/W

漏源击穿电压:650V

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:1554PF

输出电容:153PF

上升时间:31ns


MOS管 KNX6165A封装

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MOS管 KNX6165A规格书

查看规格书,请点击下图


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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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