60V,80V,低压MOS管
低压MOS管
MOS管导通电阻小，可以降低导通时的功耗。但无论什么元件器件，追求某项指标必会影响其它指标。以MOS管来说，高耐压与低电阻是矛盾的，不可兼得，所以不能说导通电阻越小越好，因为这是牺牲其它性能获得的。但是一般mos管额定电流越大,额定导通电阻也就越小。
60V 80V 低压MOS管选型手册
60V 80V 低压MOS管选型表如下：
|
Part Numbe
|
ID（A）
|
BVDSS（v）
|
Typical
RDS(ON)@60%
ID（Ω）
|
MAX
RDS(ON)@60%
ID（Ω）
|
ciss
|
|
pF
|
|
KIA30N06B
|
25
|
60
|
0.025
|
0.03
|
1345
|
|
KNX8606A
|
35
|
60
|
0.012
|
0.02
|
2423
|
|
KIA50N06B
|
50
|
60
|
0.0105
|
0.012
|
2060
|
|
KIA50N06C
|
50
|
60
|
0.009
|
0.012
|
2180
|
|
KNX3706A
|
50
|
60
|
0.009
|
0.012
|
2180
|
|
KIA3506A
|
70
|
60
|
0.0065
|
0.008
|
3483
|
|
KNX3406A
|
80
|
60
|
0.0065
|
0.0085
|
6050
|
|
KNX3306A
|
80
|
60
|
0.007
|
0.0085
|
3390
|
|
KNX3306B
|
80
|
60
|
0.007
|
0.008
|
3080
|
|
KNX3206A
|
110
|
60
|
0.0065
|
0.008
|
3400
|
|
KIA3205S
|
130
|
60
|
0.0055
|
0.007
|
3100
|
|
KIA2906A
|
130
|
60
|
0.0055
|
0.007
|
3100
|
|
KIA2806A
|
160
|
60
|
0.0035
|
0.0045
|
4376
|
|
KNX1906B
|
230
|
60
|
0.0027
|
0.0035
|
6110
|
|
KNX3508A
|
70
|
80
|
0.0095
|
0.011
|
2900
|
|
KNX3308A
|
80
|
80
|
0.0062
|
0.009
|
3110
|
|
KNX3308B
|
80
|
80
|
0.0072
|
0.009
|
3650
|
|
KIA75NF75
|
80
|
80
|
0.007
|
0.009
|
3110
|
|
KNX2808A
|
150
|
80
|
0.004
|
0.005
|
6109
|
|
KNX2708A
|
160
|
80
|
0.004
|
0.0048
|
9300
|
|
KNC2208A
|
200
|
80
|
0.0035
|
0.004
|
6109
|
|
KNX3208A
|
100
|
85
|
0.0065
|
0.008
|
3420
|
|
KNX2908A
|
130
|
85
|
0.005
|
0.006
|
5000
|
60V 80V 低压MOS管封装大全
60V 80V 低压MOS管封装是与国内一流封装厂家合作。
低压MOS管的作用
1.可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.可以用作可变电阻。
4.可以方便地用作恒流源。
5.可以用作电子开关。
6.在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作。另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配。
mos管三个极分别是什么及判定方法
mos管的三个极分别是：G（栅极），D（漏极）s（源及），要求栅极和源及之间电压大于某一特定值，漏极和源及才能导通。
1.判断栅极G
MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用：假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，假如G信号驱动能力不够，将严峻影响波形跳变的时间。
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大，并且交换表笔后仍为无限大，则证实此脚为G极，由于它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判断源极S、漏极D
将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。因为测试前提不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通态电阻RDS（on）
在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
测试步骤：
MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。
其步骤如下：
假如有阻值没被测MOS管有漏电现象。
1、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则MOS管漏电，不变则完好
2、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回无限大，则MOS完好。
3、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无限大。
4、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和漏极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。
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