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60V 80V 低压MOS管选型表-低压MOS管原厂 性价比高 质量好-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-03-27 

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低压MOS管

MOS管导通电阻小,可以降低导通时的功耗。但无论什么元件器件,追求某项指标必会影响其它指标。以MOS管来说,高耐压与低电阻是矛盾的,不可兼得,所以不能说导通电阻越小越好,因为这是牺牲其它性能获得的。但是一般mos管额定电流越大,额定导通电阻也就越小。


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60V 80V 低压MOS管选型手册

60V 80V 低压MOS管选型表如下:


Part Numbe

IDA

BVDSSv

Typical

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

MAX

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

ciss

pF

KIA30N06B

25

60

0.025

0.03

1345

KNX8606A

35

60

0.012

0.02

2423

KIA50N06B

50

60

0.0105

0.012

2060

KIA50N06C

50

60

0.009

0.012

2180

KNX3706A

50

60

0.009

0.012

2180

KIA3506A

70

60

0.0065

0.008

3483

KNX3406A

80

60

0.0065

0.0085

6050

KNX3306A

80

60

0.007

0.0085

3390

KNX3306B

80

60

0.007

0.008

3080

KNX3206A

110

60

0.0065

0.008

3400

KIA3205S

130

60

0.0055

0.007

3100

KIA2906A

130

60

0.0055

0.007

3100

KIA2806A

160

60

0.0035

0.0045

4376

KNX1906B

230

60

0.0027

0.0035

6110

KNX3508A

70

80

0.0095

0.011

2900

KNX3308A

80

80

0.0062

0.009

3110

KNX3308B

80

80

0.0072

0.009

3650

KIA75NF75

80

80

0.007

0.009

3110

KNX2808A

150

80

0.004

0.005

6109

KNX2708A

160

80

0.004

0.0048

9300

KNC2208A

200

80

0.0035

0.004

6109

KNX3208A

100

85

0.0065

0.008

3420

KNX2908A

130

85

0.005

0.006

5000


60V 80V 低压MOS管封装大全

60V 80V 低压MOS管封装是与国内一流封装厂家合作。


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低压MOS管的作用

1.可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。


2.很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。


3.可以用作可变电阻。


4.可以方便地用作恒流源。


5.可以用作电子开关。


6.在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零,三极管只能在正向偏置下工作,电子管只能在负偏压下工作。另外输入阻抗高,可以减轻信号源负载,易于跟前级匹配。


mos管三个极分别是什么及判定方法

mos管的三个极分别是:G(栅极),D(漏极)s(源及),要求栅极和源及之间电压大于某一特定值,漏极和源及才能导通。


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1.判断栅极G

MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭,在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率,MOS管发烧严峻,易热损坏MOS管GS间存在一定电容,假如G信号驱动能力不够,将严峻影响波形跳变的时间。


将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大,并且交换表笔后仍为无限大,则证实此脚为G极,由于它和另外两个管脚是绝缘的。


2.判断源极S、漏极D

将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。因为测试前提不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。


3.丈量漏-源通态电阻RDS(on)

在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。


测试步骤:

MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。


其步骤如下:

假如有阻值没被测MOS管有漏电现象。


1、把连接栅极和源极的电阻移开,万用表红黑笔不变,假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大,则MOS管漏电,不变则完好


2、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来,假如指针立刻返回无限大,则MOS完好。


3、把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,好的表针指示应该是无限大。


4、用一只100KΩ-200KΩ的电阻连在栅极和漏极上,然后把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,这时表针指示的值一般是0,这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电,产生栅极电场,因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通,故万用表指针偏转,偏转的角度大,放电性越好。


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