深圳市可易亚半导体科技有限公司

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国产高压MOS管专业制造-国产高压MOS管选型表|封装|价格-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-03-28 

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国产高压MOS管

国产高压MOS管公司简介

深圳市可易亚半导体科技有限公司(简称KIA半导体).是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。


国产高压MOS管


KIA半导体,已经拥有了独立的研发中心,研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队,可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案,同时引进多台国外先进设备,业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。


国产高压MOS管


强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。


国产高压MOS管


KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域,不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源,也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专注于产品的精细化与革新,力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。


国产高压MOS管


KIA半导体国产高压MOS管产品

专注于功率半导体开发得基础,在2007年KIA在韩国浦项工科大学内拥有了专业合作设计研发团队得8英寸VD-MOS晶圆厂。我司KIA率先成功研最新型MOSFET系列产品,可以提供样品,以及有多种封装SOT-89 TO-92、262、263、251、220F、3P等,封装是与国内一流封装厂家合作。


国产高压MOS管


KIA半导体包装展示图:


国产高压MOS管



国产高压MOS管产品特点

(1)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好


(2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大


(3)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID


(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数


(5)场效应管的抗辐射能力强


(6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低


国产高压MOS管选型手册

国产高压MOS管型号表如下:


Part Numbe

IDA

BVDSSv

Typical

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

MAX

RDS(ON)@60%

ID(Ω)

ciss

pF

KNX4820A

9

200

0.26

0.4

670

KNX4820B

9

200

0.25

0.3

418

KIA18N20A

18

200

0.12

0.18

1140

KNX9120A

40

200

0.05

0.065

2800

KNX9130A

40

300

0.11

0.13

3100

KNX3730A

50

300

0.05

0.065

3400

KNX4820A

9

200

0.26

0.4

670

KNX4820B

9

200

0.25

0.3

418

KIA18N20A

18

200

0.12

0.18

1140

KNX9120A

40

200

0.05

0.065

2800

KNX9130A

40

300

0.11

0.13

3100

KNX3730A

50

300

0.05

0.065

3400

KIA6035A

11

350

0.38

0.48

844

KNX4540A

6

400

0.8

1

490

KNX6140A

10

400

0.35

0.5

1254

KIA5N50H

5

500

1.25

1.5

525

KIA840S

8

500

0.7

0.9

960

KIA4750S

9

500

0.7

0.9

960

KNX4850A

9

500

0.7

0.9

960

KNX6450A

13

500

0.4

0.48

2149

KNX6650A

15

500

0.33

0.45

2148

KIA18N50H

18

500

0.25

0.32

2500

KIA20N50H

20

500

0.21

0.26

2700

KIA24N50H

24

500

0.16

0.2

3500

KNX7650A

25

500

0.17

0.21

4280

KNH8150A

30

500

0.15

0.2

4150

KNX4360A

4

600

1.9

2.3

511

KIA5N60E

4.5

600

2

2.5

780

KNX4660A

7

600

1

1.25

1120

KNX4760A

8

600

0.85

1.1

1250

KIA10N60H

9.5

600

0.6

0.73

1570

KIA12N60H

12

600

0.53

0.65

1850

KNX7160A

20

600

0.35

0.45

2800

KNX4365A

4

650

2

2.5

523

KIA7N65H

7

650

1.2

1.4

1000

KNX4665B

7

650

1.1

1.4

1048

KNX4665A

7.5

650

1.1

1.4

970

KIA10N65H

10

650

0.65

0.75

1650

KNX6165A

10

650

0.6

0.9

1554

KIA12N65H

12

650

0.63

0.75

1850

KIA6N70H

5.8

700

1.8

2.3

650

KIA7N80H

7

800

1.4

1.9

1300

KIA10N80H

10

800

0.85

1.1

2230

KIA9N90S

9

900

1.05

1.4

2780

KNL42150A

2.8

1500

6.5

9

1500


MOS管发热分析

1.电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。


2.频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。


3.没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。


4.MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。


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