MOS管,KNX7610A,25A/100V
KNX7610A MOS管产品概述
KNX7610A采用沟槽加工技术设计，具有极低的导通电阻。这种设计的传统特点是:175℃结工作温度 、 快速的开关速度和良好的温度。改进了重复雪崩等级。这些特性结合在一起，使这个设计成为一个非常有效的和可靠的设备，用于直流-直流转换器和离线UPS和广泛的其他应用。
KNX7610A MOS管产品特点
RDS(on)(TYP.)=32mΩVGS=10v
低导通电阻
快速交换
雪崩测试100%
无铅，符合RoHS
MOS管 KNX7610A 25A/100V参数
型号：KNX7610A
工作方式：25A/100V
漏源极电压：100V
脉冲漏电流:100A
栅源电压:±20V
单脉冲雪崩能量:90MJ
功耗:60W
二极管连续正向电流:25A
漏源击穿电压:100V
输入电容:2020pF
输出电容:450pF
反向传输电容:255pF
KNX7610A MOS管封装图
MOS管 KNX7610A 25A/100V规格书
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