n沟道结型场效应管

n沟道结型场效应管工作原理

Ugs对导电沟道和D i 的控制作用：

当Ugs= 0时，导电沟道未受任何电场的作用，导电沟道最宽，当外加Uds 时，D i 最大；当Ugs由零向负值增大时，在GS u 的反向偏置电压作用下，耗尽层将加宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大，

外加Uds 时， D i 将减小；当│ Ugs│＝ U gs(off) 时，两侧的耗尽层在中间完全合拢，导电沟道被夹断；相应的栅－源极之间的电压称为夹断电压Ugs(off) 。可见，改变Ugs的大小可以有效控制导电沟道电阻的大小。

n沟道结型场效应管

n沟道结型场效应管结构

n沟道结型场效应管由一个被一个p型掺杂（阻碍层）环绕的n型掺杂组成。在n型掺杂上连有汲极（也称漏极，来自英语Drain，因此也称D极）和源极（来自英语Source，因此也称S极）。从源极到汲极的这段半导体被称为n通道。p区连有闸极（也称栅极，来自英语Gate，因此也成为G极）。这个极被用来控制结型场效应管，它与n通道组成一个pn二极管，因此结型场效应管与金属-氧化物-半导体场效应管类似，只不过在金属-氧化物-半导体场效应管中不是使用pn结，而是使用肖特基结（金属与半导体之间的结），在原理上结型场效应管与金属-氧化物-半导体场效应管是完全一样的。

n沟道结型场效应管

KIA半导体n沟道结型场效应管

1、产品简介

KIA设计生产的超结场效应管用先进的耐压原理和优化的设计结构，全新600~900V系列产品为系统应用提供充足的耐压余量，简化系统设计难度，提高系统可靠性，满足客户对高耐压、低导通内阻和高效超结MOSFET的需求。

2、产品特点

（1）更高耐压为系统设计和应用提供更充足余量

（2）更低的导通电阻，利于降低导通损耗

（3）极低的栅极电荷，提供更快的开关速度

（4）同规格下更小的封装体积，使系统更轻便

（5）雪崩能力测试，确保产品质量可靠

3、应用领域

（1）正激电路

（2）准谐振反激电路

（3）适配器

（4）太阳能逆变器

（5）工业整流

n沟道结型场效应管型号

Part Numbe	ID（A）	BVDSS（v）	Typical RDS(ON)@60% ID（Ω）	MAX RDS(ON)@60% ID（Ω）	ciss
Part Numbe	ID（A）	BVDSS（v）	Typical RDS(ON)@60% ID（Ω）	MAX RDS(ON)@60% ID（Ω）	pF
KIA65R950U/D/B/FS	5	650	0.85	0.95	320
KIA65R700U/D/FS	7	650	0.6	0.7	360
KIA60R380DS	11	600	0.34	0.38	680
KIA65R420U/D/B/FS	11	650	0.38	0.42	680
KIA65R300B/FS	15	650	0.27	0.3	800
KCP7160A	20	600	0.16	0.19	1440
KIA65R190F/HS	20	650	0.16	0.19	1440
KIA60R070HS	47	600	0.06	0.07	3100
KCX3650A	60	500	0.05	0.056	3180
KCX9860A	47	600	0.068	0.081	3100
KCX3650A	60	500	0.05	0.056	3180
KCX3560A	76	600	0.036	0.042	6400
KCX3250A	100	500	0.026	0.031	6200