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什么是N沟道MOS管场效应管

信息来源:本站 日期:2017-04-29 

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N沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS管的结构基本相同。差别在于耗尽型MOS管的Si02绝缘层中掺有大量的正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺人负离子),故在UCs=0时,这些正离子产生的电场作用下,漏极一源极间的P型衬底表面也能感应天生N沟道(称为初始沟道),只要加上正向电压UDS,就有电流。假如加上正的UCs,栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的.

N沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS管的结构基本相同。差别在于耗尽型MOS管的Si02绝缘层中掺有大量的正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺人负离子),故在UCs=0时,这些正离子产生的电场作用下,漏极一源极间的P型衬底表面也能感应天生N沟道(称为初始沟道),只要加上正向电压UDS,就有电流。假如加上正的UCs,栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子,沟道加宽,沟道电阻变小。增大。反之UCs为负时,沟道中感应的电子减少,沟道变窄,沟道电阻变大。减少。当UCS负向增加到某一数值时,导电沟道消失。趋于零,管子截止,故称为耗尽型。

N沟道耗尽型MOSFET的结构与增强型MOSFET结构类似,只有一点不同,就是N沟道耗尽型MOSFET在栅极电压uGS=0时,沟道已经存在。该N沟道是在制造过程中应用离子注入法预先在衬底的表面,在D、S之间制造的,称之为初始沟道。N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图1.(a)所示,它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当VGS=0时,这些正离子已经感应出反型层,形成了沟道。于是,只要有漏源电压,就有漏极电流存在。当VGS>0时,将使ID进一步增加。VGS<0时,跟着VGS的减小漏极电流逐渐减小,直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压,用符号VGS(off)表示,有时也用VP表示。N沟道耗尽型MOSFET的转移特性.

耗尽型MOS场效应管,是在制造过程中,预先在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子,因此,在UGS=0时,这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子,形成N型导电沟道。

当UDS>0时,将产生较大的漏极电流ID。假如使UGS<0,则它将削弱正离子所形成的电场,使N沟道变窄,从而使ID减小。当UGS更负,达到某一数值时沟道消失,ID=0。使ID=0的UGS我们也称为夹断电压,仍用UP表示。UGS

据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。耗尽型是指,当VGS=0时即形成沟道,加上准确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。


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