深圳市可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

HY1906替代MOS管-HY1906、KNX3308A规格书、封装、参数-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-07-03 

分享到:

HY1906替代MOS管-HY1906、KNX3308A规格书、封装、参数详解

HY1906规格书,HY1906参数,HY1906替代

下文将会详细的介绍国产MOS管KNX3308A和HY1906两个产品的主要参数、封装、应用领域等产品信息。KIA半导体是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。


从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全到位的品牌内涵,我们致力于成为场效应管(MOSFET)功率器件领域的领跑者,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,永不止步!


MOS管 KNX3308A产品特征

RDS(ON)=6.2mΩ(typ)@VGS=10V

提供无铅环保设备

降低导电损耗的低RD值

高雪崩电流

MOS管 KNX3308A应用领域

电力供应

直流变换器


MOS管 KNX3308A主要参数

型号:KNX3308A

电流:80A

电压:80V

漏源极电压:80V

栅源电压:±25

脉冲漏电流:340A

雪崩电流:20A

雪崩能源:410MJ


MOS管 KNX3308A封装引脚图


HY1906规格书,HY1906参数,HY1906替代


KNX3308A产品规格书

查看规格书,请点击下图。


HY1906规格书,HY1906参数,HY1906替代


MOS管 HY1906 60V/70A产品特征

RDS(ON)=5.7 mΩ(typ.)@VGS=10V

雪崩测试100%


MOS管 HY1906 60V/70A参数

型号:HY1906

参数:60V/70A

漏源电压:60V

栅源电压:±25V

源电流连续:70A

脉冲漏电流:260A

连续漏电流 Tc=25℃:70A

连续漏电流 Tc=100℃:49.5A

单脉冲雪崩能量286.6MJ

漏源击穿电压:60V

输入电容:4620PF

输出电容:410PF

反向传输电容:360PF


MOS管 HY1906 60V/70A规格书

查看及下载规格书,请点击下图。


HY1906规格书,HY1906参数,HY1906替代


联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号

请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助