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KIA50N03A替代NCE3050 50A/30V 封装齐全 规格书下载-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2019-07-04 

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KIA50N03A替代NCE3050 50A/30V 封装齐全 规格书下载

NCE3050替代MOS管

NCE3050可用KIA50N03A替代。深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。


NCE3050替代,50A/30V,KIA50N03A


KIA半导体研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队,可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案,同时引进多台国外先进设备,业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。


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从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全到位的品牌内涵,我们致力于成为场效应管(MOSFET)功率器件领域的领跑者,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,永不止步!


MOS管NCE3050产品特征

VDS=30V,ID=50A

RDS(ON)<11mΩ@VGS=10V

RDS(ON)<16mΩ@VGS=4.5V

超低RDSON高密度电池设计

稳定性好,均匀性好

良好的散热包装

高静电放电性能的特殊工艺技术


MOS管NCE3050产品应用领域

1、电源切换应用

2、开关和高频电路

3、不间断电源


MOS管NCE3050参数


NCE3050替代,50A/30V,KIA50N03A


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MOS管NCE3050封装


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MOS管NCE3050规格书详情

查看及下载规格书,请点击下图。

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NCE3050替代MOS管产品KIA50N03A
MOS管50N03产品特征-KIA50N03A

1、先进的沟槽处理技术

2、高密度超低电阻电池的设计

3、完全确定雪崩电压和电流

4、VDSS=30V,RDS(on)=6.5mΩ,ID=50A

5、Vds=30V

6、RDS(ON)=6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A

7、RDS(ON)=9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A


MOS管50N03产品主要参数-KIA50N03A

产品型号:KIA50N03A

工作方式:50A/30V

漏源极电压:30V

栅源电压:±20V

连续漏电流:50A

脉冲漏电流 :200A

操作接头和存储温度范围:-55℃至150℃

结对壳热阻:1.8℃/W

对周围环境的电阻:50℃/W


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KIA50N03A封装引脚图


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KIA50N03A产品附件

以下为KIA50N03A产品PDF格式的产品详细资料,查看详情请点击下图。

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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

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