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MOS管的重要特性及结构,四种类型-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2020-10-12 

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MOS管的重要特性及结构,四种类型-KIA MOS管


MOS管的重要特性,MOS管的类型及结构

MOS管是FET的一种(另一种为JFET结型场效应管),主要有两种结构形式:N沟道型和P沟道型;又根据场效应原理的不同,分为耗尽型(当栅压为零时有较大漏极电流)和增强型(当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流)两种。因此,MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。


MOS管的重要特性


MOS管的重要特性

1、导通特性

MOS管的重要特性,导通的意义是作为开关,相当于开关闭合。NMOS的特性,VGS大于一定的值就会导通,适用于源极接地时的情况(低端驱动),只需栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性是,VGS小于一定的值就会导通,适用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。


2、损失特性

不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,电流就会被电阻消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧至几十毫欧左右,选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。


MOS管在进行导通和截止时,两端的电压有一个降落过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,这称之为开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。


导通瞬间电压和电流的乘积越大,构成的损失也就越大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。


3、寄生电容驱动特性

跟双极性晶体管相比,MOS管需要GS电压高于一定的值才能导通,而且还要求较快的导通速度。在MOS管的结构中可以看到,在GS、GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,理论上就是对电容的充放电。


对电容的充电需要一个电流,由于对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一个要留意的是可提供瞬间短路电流的大小;第二个要留意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要栅极电压大于源极电压。


而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极导通电压要比VCC高4V或10V,而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。


MOS管的重要特性


4、寄生二极管

漏极和源极之间有一个寄生二极管,即“体二极管”,在驱动感性负载(如马达、继电器)应用中,主要用于保护回路。不过体二极管只在单个MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。


MOS管的重要特性


5、不同耐压MOS管特点

不同耐压的MOS管,其导通电阻中各部分电阻比例分布不同。如耐压30V的MOS管,其外延层电阻仅为总导通电阻的29%,耐压600V的MOS管的外延层电阻则是总导通电阻的96.5%。


不同耐压MOS管的区别主要在于,耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢,因此,它们的特性在实际应用中也表现出了不一样之处,如耐中低压MOS管只需要极低的栅极电荷就可以满足强大电流和大功率处理能力,除开关速度快之外,还具有开关损耗低的特点,特别适应PWM输出模式应用;而耐高压MOS管具有输入阻抗高的特性,在电子镇流器、电子变压器、开关电源方面应用较多。





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